PL60N02D TO-252-3 N通道增强模式MOSFET
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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不间断电源
概述
PL60N02D采用先进的沟槽技术,提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。
特征
VDS = 20V ID =60A
RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V
应用
蓄电池保护
负荷开关
不间断电源
PL60N02D
PULAN/普蓝
TO-252-3
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
大功率