原装现货 AO3434A SOT23-3L 询价为准

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Product Summary

VDS = 30V

ID (at VGS=10V) 4A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 52mΩ

RDS(ON) (at VGS =4.5V) < 60mΩ

RDS(ON) (at VGS =2.5V) < 78mΩ

以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。