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IGBT 的理想等效电路，正如图 1-2 所示，是对pnp 双极型晶体管和功率MOSFET 进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS晶体管。

因此，在门极—发射极之间外加正电压使功率MOSFET导通时，pnp 晶体管的基极—集电极间就连接上了低电阻，从而使pnp 晶体管处于导通状态。

此后，使门极—发射极之间的电压为0V 时，首先功率MOSFET 处于断路状态，pnp 晶体管的基极电流被切断，从而处于断路状态。如上所述，IGBT和功率MOSFET 一样，通过电压信号可以控制开通和关断动作。