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产品属性
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产品图片:
具体参数:
技术
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MOSFET(金属氧化物)
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漏源电压(Vdss)
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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驱动电压( Rds On, Rds On)
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4.5V,10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻
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2.8 毫欧 @ 25A,10V
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不同 Id 时 Vgs(th)
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3V @ 250μA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
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96.3 nC @ 10 V
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Vgs
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
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4515 pF @ 30 V
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FET 功能
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-
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功率耗散
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2.1W(Ta),105W(Tc)
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工作温度
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-55°C ~ 150°C(TJ)
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安装类型
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供应商器件封装
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PowerDI5060-8
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封装/外壳
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基本产品编号
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公司介绍:
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