MMBT5551LT1G

規格書 MMBT5550L-51L, SMMBT5551L
PCN 組裝地／原產地
標準包裝 :3,000
類別離散半導體產品
家族電晶體 (BJT) - 單一
系列 -
包裝編帶和捲軸封裝 (TR)
電晶體類型 NPN
電流 - 集極 (Ic)(最大) 600mA
電壓 - 集極射極崩潰(最大) 160V
Vce 飽和(最大值)@ Ib、Ic 200mV @ 5mA、50mA
電流 - 集極臨界(最大值) 100nA
DC 電流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce 80 @ 10mA、5V
功率 - 最大 225mW
頻率 - 過渡 -
安裝類型表面黏著式
封裝／外殼 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
供應商元件封裝 SOT-23-3 (TO-236)

型号/规格

MMBT5551LT1G

品牌/商标

ON安森美

1

功率 225mW

2

封裝TO-236-3

3

頻率 - 過渡 -

4

DC 電流增益