供应东芝原装芯片TPH1R712MD，参数：漏源极电压（Vdss）: 20V 60A

原厂标准完整型号: TPH1R712MD,L1Q
制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage
功能总体简述: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV
系列: -
FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 60A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 1.7 毫欧 @ 30A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 182nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 10900pF @ 10V
功率 - 最大值: 78W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: 8-SOP 高级
产品广泛应用于电源，通讯，汽车电子，医疗设备，节能灯,家电，等领域
＜1＞电源类产品：开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
＜3＞汽车电子类产品：HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等

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