供应原装芯片：IRF640NPBF，IRF640NPBF描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

IRF640NPBFFET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1160pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 11A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3


文档
产品广泛应用于电源，通讯，汽车电子，医疗设备，节能灯,家电，等领域
＜1＞电源类产品：开关电源、不间断电源UPS、电源转换器AC/DC、DC/DC、手机充电器等
＜2＞消费电子类产品：音响、DVD/VCD、DVD刻录机、机顶盒、MP3等
＜3＞汽车电子类产品：HID安定器、汽车音响、车载DVD、汽车导航系统、汽车防盗器等

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