供应ALD110800APCL、ALD

数据列表 ALD110800,900(A);
标准包装   50
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
系列 EPAD®，Zero Threshold™ 
规格 FET 类型 4 N 沟道，配对
FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 10.6V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 500 欧姆 @ 4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 10mV @ 1µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2.5pF @ 5V
功率 - 最大值 500mW
工作温度 0°C ~ 70°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 16-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装 16-PDIP