供应PMCPB5530X

地区:广东 深圳
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数据列表 PMCPB5530X;
标准包装   3,000
包装   标准卷带 
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
系列 - 
规格 FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5.3A,3.4A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 34 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 21.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 660pF @ 10V
功率 - 最大值 490mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装 DFN2020-6

漏源电压(Vdss)

20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

5.3A,3.4A

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值)

660pF @ 10V

封装/外壳

6-UDFN 裸露焊盘