WPM2026-3/TR芯瑞SReleics 场效应管MOS

4、扩散型二极管

在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型

5、台面型二极管

PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。

1. TVS管使用时一般并联在被保护电路上。为了限制流过TVS管的电流不超过管子允许通过的峰值电流IPP，应在线路串联加限流元件，如电阻、自恢复保险丝、电感等。

2. 击穿电压VBR的选择：TVS管的击穿电压应根据线路工作电压US按公式：VBRmin≥1.2US 或 VRWM≥1.1US选择。

3低电容系列的管子：信号频率（传输速率）≥10MHz（Mb/s），Cj≤60pF； 信号频率（传输速率）≥100 MHz（Mb/s），Cj≤20pF。当低电容系列仍满足不了要求时，就应把TVS管串联到高速二极管组成的桥路中