PMEG2010EA 肖特基二极管 NXP/恩智浦 封装SOD323贴片

•正向电流：1A


•反向电压：20 V


•超高速切换


•非常低的正向电压


•非常小的塑料贴片封装。


应用


•超高速切换


•电压钳位


•保护电路。


说明


平面大效率一般应用（百万）


集成保护环的肖特基势垒二极管


应力保护，封装在SOD323（SC-76）中


小型贴片塑料包装。


钉扎


管脚说明


1个阴极


2阳极


列1 2


MGU328


图1简化轮廓（SOD323；SC-76）和


符号。


标记代码：E1。


标记条指示阴极。


订购信息


极限值


根据大额定值系统（IEC 60134）。


类型


数量


包裹


名称说明版本


PMEG2010EA−塑料表面安装封装；2根引线SOD323


符号参数条件最小 大单位


VR连续反向电压−20 V


如果持续正向电流−1 A


IFSM非重复峰值正向电流tp=8.3 ms半正弦波；


JEDEC法


−5安


Tstg储存温度−65+150°C


Tj结温−125°C


工作环境温度−65+125°C

FEATURES • Forward current: 1 A • Reverse voltage: 20 V • Ultra high-speed switching • Very low forward voltage • Very small plastic SMD package. APPLICATIONS • Ultra high-speed switching • Voltage clamping • Protection circuits. DESCRIPTION Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier diode with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD323 (SC-76) very small SMD plastic package. PINNING PIN DESCRIPTION 1 cathode 2 anode columns 1 2 MGU328 Fig.1 Simplified outline (SOD323; SC-76) and symbol. Marking code: E1. The marking bar indicates the cathode. ORDERING INFORMATION LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). TYPE NUMBER PACKAGE NAME DESCRIPTION VERSION PMEG2010EA − plastic surface mounted package; 2 leads SOD323 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VR continuous reverse voltage − 20 V IF continuous forward current − 1 A IFSM non-repetitive peak forward current tp = 8.3 ms half sinewave; JEDEC method − 5 A Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj junction temperature − 125 °C Tamb operating ambient temperature −65 +125 °C