BFU550XR 射频NPN宽带硅RF晶体二极管 NXP品牌 封装SOT143

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BFU550XR 射频NPN宽带硅RF晶体二极管 NXP品牌 封装SOT143 批号:2020年 一盘3000个

2 GHz 射频宽带晶体管

我们的宽带晶体管根据跃迁频率和噪声/增益性能分类,提供一系列封装、工艺和规格选择。该系列现已推出第 7 代产品,提供 500 MHz 至 < 2 GHz 工作频率,因此特别适合通信、汽车和工业设备等应用。


特性:

  • 极高增益
  • 丰富的产品组合
  • 低噪声
  • 低电流消耗
  • 最小封装
  • 更方便的散热 - 通过散热铅
  • 广泛的封装选择

目标应用:

  • 移动电话 ODM/CEM 设计
  • 无绳电话
  • 胎压监测系统
  • 调谐器
  • GPS接收器;卫星LNB、机顶盒、多开关盒

1.1 General description NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143R package. The BFU550XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz. 1.2 Features and benefits  Low noise, high breakdown RF transistor  AEC-Q101 qualified  Minimum noise figure (NFmin) = 0.7 dB at 900 MHz  Maximum stable gain 21.5 dB at 900 MHz  11 GHz fT silicon technology 1.3 Applications  Applications requiring high supply voltages and high breakdown voltages  Broadband amplifiers up to 2 GHz  Low noise amplifiers for ISM applications  ISM band oscillators 1.4 Quick reference data BFU550XR NPN wideband silicon RF transistor Rev. 1 — 14 March 2014 Product data sheet Table 1. Quick reference data Tamb = 25 C unless otherwise specified Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit VCB collector-base voltage open emitter - - 24 V VCE collector-emitter voltage open base - - 12 V shorted base - - 24 V VEB emitter-base voltage open collector - - 2 V IC collector current - 15 50 mA Ptot total power dissipation Tsp  87 C [1] - - 450 mW hFE DC current gain IC = 15 mA; VCE =8V 60 95 200 Cc collector capacitance VCB = 8 V; f = 1 MHz - 0.41 - pF fT transition frequency IC = 25 mA; VCE = 8 V; f = 900 MHz - 11 - GHz




型号/规格

BFU550XR

品牌/商标

NXP(恩智浦)

封装形式

SOT-143

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装