原装现货 DY2M3Z3C0L ESD/TVS静电抑制器 保护

江崎二极管（Tunnel Diode）    它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。

1. MAXIMUN CLAMPING VOLTAGE: 最大箝位电压VC要小于电路允许的最大安全电压。

2. REVERSE STAND-OFF VOLTAGE:截止电压VRWM大于电路的最大工作电压，一般可以选择VRWM等于或者略大于电路的最大工作电压。

3. PEAK PULSE POWER:额定的最大脉冲功率（TVS参数中给出） PM要大于最大瞬态浪涌功率。