全新原装现货配单 DY2L3A0C ESD/TVS静电抑制器 保护

江崎二极管（Tunnel Diode）    它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比IP/PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。

TVS二极管电压－电流特性①VBR：TVS二极管最小击穿电压。也就是在流过规定电流(IR )时，加于TVS两极的最小击穿电压；②VRMW：正常工作时候可承受的电压。这个电压在实际应用当中应大于或等于被保护电路的正常工作电压；③IPP：最大峰值脉冲电流。处于反向状态时， 允许通过的最大脉冲峰值电流；④VC：箝位电压。处于峰值时候，两端出现的最大电压值称为箝位电压