原装现货NTS4101PT1G

制造商编号：NTS4101PT1G

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

封装 / 箱体: SOT-323-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 1.37 A

Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 2.5 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV

Qg-栅极电荷: 6.4 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 329 mW

晶体管类型: 1 P-Channel  

类型: MOSFET  

宽度: 1.24 mm  

商标: ON Semiconductor  

正向跨导 - 最小值: 5.2 S  

下降时间: 18 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 14.9 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 26 ns  

典型接通延迟时间: 6.2 ns  

单位重量: 5 mg