晶体管NTR4101PT1G现货

制造商编号：NTR4101PT1G

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 2.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 8 V

Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.2 V

Qg-栅极电荷: 7.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 0.73 W