ESD抑制器MMBZ27VALT1G现货

制造商编号：MMBZ27VALT1G

制造商: ON Semiconductor

产品种类: ESD 抑制器/TVS 二极管

RoHS:  详细信息  

系列: MMBZxxxALT1

产品类型: ESD Suppressors

Vesd - 静电放电电压触点: 30 kV

Vesd - 静电放电电压气隙: -

极性: Unidirectional

通道数量: 2 Channel

端接类型: SMD/SMT

击穿电压: 25.65 V

工作电压: 22 V

钳位电压: 40 V

Ipp - 峰值脉冲电流: 1 A

Cd - 二极管电容 : -

封装 / 箱体: SOT-23-3

峰值脉冲功耗 (Pppm): 40 W

Pd-功率耗散: 300 mW

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

商标: ON Semiconductor  

工厂包装数量: 3000  

子类别: TVS Diodes / ESD Suppression Diodes  

Vf - 正向电压: 0.9 V

ESD器件选型步骤

1.计算接口信号幅值的范围来确定ESD器件的工作电压；

2.根据信号类型决定使用单向或者双向ESD器件;

3.根据信号速率决定该接口能承受的最大寄生电容；

4.根据电路系统的最大承受电压冲击，选择适合的钳位电压；

5.确保ESD器件可达到或超过IEC 61000-4-2 level4。