双极晶体管MMBT5551LT1G现货热卖

制造商编号：MMBT5551LT1G

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  详细信息  

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 160 V

集电极—基极电压 VCBO: 140 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V

集电极—射极饱和电压: 0.15 V

最大直流电集电极电流: 0.6 A

Pd-功率耗散: 225 mW

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MMBT5551L

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

直流电流增益 hFE 最大值: 250  

高度: 0.94 mm  

长度: 2.9 mm  

技术: Si  

宽度: 1.3 mm  

商标: ON Semiconductor  

集电极连续电流: 0.6 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 80  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

单位重量: 8 mg

双极型晶体管输出特性可分为三个区

★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE@0，IC@0，UCE@EC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。

★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0，IC=EC/RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。

★放大区：发射结正偏，集电结反偏。