MMBT3904LT1G

制造商编号：MMBT3904LT1G

制造商: ON Semiconductor

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:  详细信息  

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 40 V

集电极—基极电压 VCBO: 60 V

发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V

集电极—射极饱和电压: 0.3 V

最大直流电集电极电流: 0.2 A

Pd-功率耗散: 225 mW

增益带宽产品fT: 300 MHz

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: MMBT3904L

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 0.94 mm  

长度: 2.9 mm  

技术: Si  

宽度: 1.3 mm  

商标: ON Semiconductor  

集电极连续电流: 0.2 A  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

单位重量: 30 mg  

双极型晶体管极限参数★最大集电极耗散功率 如图所示。★最大集电极电流 :使b下降到正常值的1/2～2/3时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。★极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降。