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产品属性
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制造商编号:NSS40200LT1G
制造商: NXP
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 40 V
集电极—基极电压 VCBO: 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V
最大直流电集电极电流: 2 A
Pd-功率耗散: 540 mW
增益带宽产品fT: 100 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
技术: Si
商标: NXP Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min: 250 at 10 mA, 2 V
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
子类别: Transistors
双极型晶体管极限参数
★最大集电极耗散功率 如图所示。
★最大集电极电流 :使b下降到正常值的1/2~2/3时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。
★极间反向击穿电压:晶体管的某一电极开路时,另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压,超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时,击穿电压要下降。
其他
NXP
NSS40200LT1G
SOT23
5
12+
否
汽车电子,网络通信,安防设备
5