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产品属性
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制造商编号:PZTA56
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: PNP
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: - 80 V
集电极—基极电压 VCBO: - 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: - 4 V
集电极—射极饱和电压: - 0.2 V
最大直流电集电极电流: 0.5 A
Pd-功率耗散: 1 W
增益带宽产品fT: 50 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: PZTA56
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.6 mm
长度: 6.5 mm
技术: Si
宽度: 3.56 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流: 0.5 A
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 4000
子类别: Transistors
单位重量: 112 mg
双极结型晶体管,外部引出三个极:集电极,发射极和基极,集电极从集电区引出,发射极从发射区引出,基极从基区引出(基区在中间);BJT有放大作用,主要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的,为了保证这一传输过程,一方面要满足内部条件,即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小,另一方面要满足外部条件,即发射结要正向偏置(加正向电压)、集电结要反偏置;BJT种类很多,按照频率分,有高频管,低频管,按照功率分,有小、中、大功率管,按照半导体材料分,有硅管和锗管等;其构成的放大电路形式有:共发射极、共基极和共集电极放大电路。
其他
NXP
PZTA56
SOT223
5
11+
否
汽车电子,网络通信,安防设备
5