一站式采购 CT0201S4ACC2G 静电抑制器

平面型二极管

在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。

1. TVS管使用时一般并联在被保护电路上。为了限制流过TVS管的电流不超过管子允许通过的峰值电流IPP，应在线路串联加限流元件，如电阻、自恢复保险丝、电感等。

2. 击穿电压VBR的选择：TVS管的击穿电压应根据线路最高工作电压US按公式：VBRmin≥1.2US 或 VRWM≥1.1US选择。

3. 脉冲峰值电流IPP的选择：当TVS管单独使用时，要根据线路上可能出现的最大浪涌电流来选择合适的型号。当TVS管在放电管后作为第二级保护时，一般用500W～600W的就可以了。

4. 用于信号传输电路保护时，一定要注意所传输信号的频率或传输速率。当信号频率或传输速率较高时,应选用低电容系列的管子：信号频率（传输速率）≥10MHz（Mb/s），Cj≤60pF； 信号频率（传输速率）≥100 MHz（Mb/s），Cj≤20pF。当低电容系列仍满足不了要求时，就应把TVS管串联到高速二极管组成的桥路中