MOSFET CSD17577Q3A 公司现货

制造商: Texas Instruments

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VSONP-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 83 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 27 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 53 W

通道模式: Enhancement

商标名: NexFET

高度: 0.9 mm  

长度: 3.15 mm  

系列: CSD17577Q3A  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 3 mm  

商标: Texas Instruments  

正向跨导 - 最小值: 76 S  

下降时间: 4 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 31 ns  

工厂包装数量: 2500  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 20 ns  

典型接通延迟时间: 4 ns  

单位重量: 27.700 mg