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产品属性
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Id-连续漏极电流: - 3 A
Rds On-漏源导通电阻: 165 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 9.5 nC
配置: Single
Pd-功率耗散: 1.25 W
封装: Cut Tape
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 1.3 mm
商标: Infineon Technologies
工厂包装数量: 3000
零件号别名: SP
单位重量: 8 mg
MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET),而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是MOSFET。
IRLML5203TRPBF
INFINEON(英飞凌)
SOT-23-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
18+
9000