MOSFET STL20N6F7 ST专营

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 20 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 25 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 78 W

通道模式: Enhancement

商标名: STripFET

高度: 0.8 mm  

长度: 3.3 mm  

系列: STL20N6F7  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 3.3 mm  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 7.8 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 17.6 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 24.4 ns  

典型接通延迟时间: 15 ns  

单位重量: 28 mg