砷化镓衬底晶片 北京特博万德科技有限公司

Item

Unit

Sepcification

Remarks

Crystal Growth

VGF  HB  VB

Dopant

Si or Zn or undope

N-type/ P-type/ undope

Diameter

1” 2” 3” 4” 6”

Orientation

(100) (111)

Other orientation available

Carrier Concentration

/cm³

0.4~2.5*10¹⁸

Other spec. available

Resisitivity

Ohm.cm

(0.8-9)×10^-3  (1-9)×10¹⁷

Other spec. available

Mobility

cm²/v.s

1500~3000    3000~5000

Other spec. available

EPD

/cm²

<100 <500<>

<5000      <10000<>

Other spec. available

Thickness

~350um    ~625um

Other spec. available

TTV

um

<10um or better

TIR

um

<10um or better

Bow

um

<10um or better

Warp

um

<10um or better

Surface

PE  PP

Epi-ready

Yes