STM32F417IGH6TR

STM32F417IGH6TR三极电子管由外壳、灯丝 F、屏极（也称板极或阳极）A、栅极 G、阴极 k 及管脚等组成。其中，灯丝用来加热阴极。阴极 k（类似于半导体三极管的发射极和场效应管的源极）在温度升高到一定值时开始发射电子。栅极 G（也称控制栅极。类似于半导体三极管的基极和场效应管的栅极）用来控制阴极发射电子的数量，即控制阴极电流的大小。屏极 A（类似于半导体三极管的集电极和场效应晶体管的漏极）用来收集阴极所发射的电子。
三极电子管一般用于放大电路中，STM32F417IGH6TR 它按阴极的加热方式可分为直热式阴极三极电子管和间热式阴极三极电子管。
常用的中、小功率三极电子管有 6N1~6N4、6N6、6N8P、6N9P、6N11、6DJ8、12AX7、12AU7、12AT7、6C3~6C5 等型号。常用的大功率三极电子管有 211、845、WE300B、6N5P、6N13P 等型号。


STM32F417IG基于ARM® Cortex®-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

它由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

STM32F417IGH6TR属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

它带DSP和FPU，具有1 MB Flash、168 MHz CPU和ART加速器。

STM32F417IGH具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。

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STM32F417IGH6TR参数
料号 STM32F417IGH6TR
特性 带DSP和FPU的高性能基础系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash、168 MHz CPU、ART加速器、以太网、FSMC和硬件加密
状态 Active
封装 UFBGA 176+25 10x10x0.6 P 0.65 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 168
程序存储器大小 (kB) 1024
双组闪存 -
数据RAM大小(kB) 192
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 24
D/A转换器 2
输入/输出端数量 140
显示控制器 -
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 3
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 2
存储器扩展接口 FSMC
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 AES,DES/TDES,HMAC,MD5,SHA
TRNG true
电源电压 (V) min 1.8
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.7
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 215
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85

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GD32L451CEU6
GD32L451RCI3
GD32L451RCT3
GD32L451RCT6
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GD32L451RET6
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GD32L451VCI6
GD32L451VCT6
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GD32L451VET6
GD32L452CCU6
GD32L452CET3
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