IPD50P04P4L-11 4P04L11 TO-252 P沟道

 产品种类: MOSFET

 RoHS:  详细信息  

 技术: Si

 安装风格: SMD/SMT

 封装 / 箱体: TO-252-3

 通道数量: 1 Channel

 晶体管极性: P-Channel

 Vds-漏源极击穿电压: 40 V

 Id-连续漏极电流: 50 A

 Rds On-漏源导通电阻: 17.2 mOhms

 Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

 Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

 Qg-栅极电荷: 45 nC

 最小工作温度: - 55 C

 最大工作温度: + 175 C

 Pd-功率耗散: 58 W

 配置: Single

 通道模式: Enhancement

 资格: AEC-Q101

 商标名: OptiMOS

 封装: Cut Tape

 封装: MouseReel

 封装: Reel

 高度: 2.3 mm  

 长度: 6.5 mm  

 系列: OptiMOS-P2  

 晶体管类型: 1 P-Channel  

 宽度: 6.22 mm  

 下降时间: 39 ns  

 产品类型: MOSFET  

 上升时间: 9 ns  

 工厂包装数量: 2500  

 子类别: MOSFETs  

 典型关闭延迟时间: 46 ns  

 典型接通延迟时间: 12 ns  

 零件号别名: IPD50P04P4L11ATMA1 IPD5P4P4L11XT SP000671156  

 单位重量: 4 g