SI2301CDS-T1-GE3稳压MOS管二三极管

产品种类：MOSFET晶体管极性：P-Channel汲极/源极击穿电压：20 V闸/源击穿电压：+/- 8 V漏极连续电流：2.3 A导通电阻：112 mOhms配置：Single最大工作温度：+ 150 C安装风格：SMD/SMT封装 / 箱体：TO-236-3封装：Reel商标：Vishay / Siliconix下降时间：35 ns最小工作温度：- 55 C功率耗散：860 mW上升时间：35 ns工厂包装数量：3000典型关闭延迟时间：30 ns零件号别名：SI2301CDS-GE3