TL431BQDBZR 集成电路

典型温度漂移（ TL431B ）- 6毫伏（C的温度）- 14毫伏（I温度，Q温度）低输出噪声0.2 Ω的典型输出阻抗吸收电流能力。 。 。 1毫安为100 mA可调输出电压。 。 。 VREF至36 V典型温度漂移（ TL431B ）- 6毫伏（C的温度）- 14毫伏（I温度，Q温度）低输出噪声0.2 Ω的典型输出阻抗吸收电流能力。 。 。 1毫安为100 mA可调输出电压。 。 。 VREF至36 V典型温度漂移（ TL431B ）- 6毫伏（C的温度）- 14毫伏（I温度，Q温度）低输出噪声0.2 Ω的典型输出阻抗吸收电流能力。 。 。 1毫安为100 mA可调输出电压。 。 。 VREF至36 V