FDD3682N沟道的PowerTrench®MOSFET100V ，32A， 36mΩ特点• rDS （ ON）= 32mΩ （典型值） ，VGS= 10V ，我D= 32A• Qg（ TOT ）= 18.5nC （典型值） ，VGS= 10V•低米勒电荷•低QRR体二极管• UIS能力（单脉冲，重复脉冲）•符合AEC Q101以前发育类型82755应用• DC / DC转换器和离线式UPS•分布式电源架构和VRM的•主开关的24V和48V系统•高压同步整流器•直喷/柴油喷射系统• 42V汽车负载控制•电子气门系统漏（法兰）门来源DGTO-252AAFDD系列SMOSFET的最大额定值TC= 25 ° C除非另有说明符号VDSSVGS漏源极电压栅极至源极电压漏电流连续（TC= 25oC，VGS= 10V)ID连续（TC= 100℃ ，VGS= 10V)连续（TAMB= 25oC，VGS= 10V ，RθJA= 52oC / W ）脉冲EASPDTJ, T英镑单脉冲雪崩能量（注1 ）功耗减免上述25℃工作和存储温度oo参数评级100±2032235.5图455950.63-55至175单位VVAAAAmJWW/oCoC
