优势供应 IRFR7546TRPBF 英飞凌 集成电路

地区:广东 深圳
认证:

深圳市华诺星科技有限公司

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产品属性IRFR7546TRPBF
类型
描述
选择 
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
StrongIRFET™
包装
卷带(TR)IRFR7546TRPBF
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
56A(Tc)
驱动电压(MAX Rds On,MIN Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(MAX)
7.9 毫欧 @ 43A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(MAX)
3.7V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(MAX)
87 nC @ 10 V
Vgs(MAX)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(MAX)
3020 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(MAX)
99W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型IRFR7546TRPBF
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IRFR7546
环境与出口分类
属性 描述IRFR7546TRPBF
RoHS 状态 符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
REACH 状态 非 REACH 产品
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):56A 功率(Pd):99W 

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.9mΩ@10V,43A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.7V@100μA N沟道,60V,71A,7.9mΩ@10V


型号/规格

IRFR7546TRPBF

品牌/商标

Infineon(英飞凌)

封装

TO-252

批号

22+

包装方式

2000/盘