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产品属性
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益輝科技秉承銳意進取的行動力,我們將不斷提升供應鏈效率,力求做到不斷超越客戶的期盼。
型号特点:
512K ×16低电压,
超低功耗CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间:为45nS , 55ns
• CMOS低功耗运行
- 36毫瓦(典型值)的操作
- 12 μW (典型值) CMOS待机
• TTL兼容接口电平
•单电源供电
– 1.65V--2.2V V
DD
(62WV51216ALL)
– 2.5V--3.6V V
DD
(62WV51216BLL)
•全静态操作:无时钟或刷新
需要
•三态输出
•为上下字节的数据控制
•工业应用温度
•无铅可
描述
该ISSI
IS62WV51216ALL / IS62WV51216BLL是高速度, 8M位静态RAM由16组织为512K字
位。它是使用制造
ISSI的高性能CMOS技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术,产量高亮,高性能和低功耗的器件。
当CS1高(取消),或者当CS2为低(取消),或者当CS1为低时, CS2为高和两个LB和UB高,器件处于待机模式
在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。易内存扩展,通过使用芯片使能提供
和输出使能输入。该低电平有效写使能
(WE)
同时控制写入和读取的存储器。一
数据字节允许最高字节
( UB )
和低位字节(LB)
访问。
该IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL包装
在JEDEC标准的48引脚小型BGA ( 7.2毫米X 8.7毫米)
和44引脚TSOP (II型) 。
IS62WV51216BLL-55TLI
ISSI
TSOP44
512K*16低电压,超低功耗CMOS静态RAM