TLV316QDBVRQ1 运算放大器

产品简介：

TLV316-Q1（单路）、TLV2316-Q1（双路）和 TLV4316-Q1（四路）器件构成了低功耗通用运算放大器系列。该器件系列将轨至轨 输入和输出摆幅、低静态电流（每通道的典型值为 400μA）等特性与 10MHz 的较宽带宽和超低噪声（1kHz 时为 12nV/√Hz）相结合，因此适用于要求兼具快速特性与良好功率比的电路。低输入偏置电流支持在 源阻抗高达兆欧级的 的应用。TLVx316-Q1 的低输入偏置电流产生的电流噪声极低，该器件系列因此备受高阻抗传感器接口的青睐。

TLVx316-Q1 采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定的集成 RFI 和 EMI 抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相，并且具有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。

此类器件经过优化，适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作。产品组合中补充的这款低压 CMOS 运算放大器与 TLVx313-Q1 和 TLVx314-Q1 系列相结合，为用户提供了广泛的带宽、噪声和功率选项，可以满足各种应用的 需求提供了灵活性和便利性。

特征介绍：

• 符合汽车应用 要求
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
  • 器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
  • 器件人体放电模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 3A
  • 带电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C5
• 单位增益带宽：10MHz
• 低 IQ：每通道 400μA
  • 出色的功率带宽比
  • 在温度和电源电压范围内保持稳定的 IQ
• 宽电源电压范围：1.8V 至 5.5V
• 低噪声：1kHz 时为 12nV/√Hz
• 低输入偏置电流：±10pA
• 偏移电压：±0.75mV
• 单位增益稳定
• 内部射频干扰 (RFI) 和电磁干扰 (EMI) 滤波器
• 通道数量：
  • TLV316-Q1：1
  • TLV2316-Q1：2
  • TLV4316-Q1：4
• 扩展温度范围：-40°C 至 +125°C

技术参数：

Number of channels (#)1Total supply voltage (Max) (+5V=5, +/-5V=10)5.5Total supply voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10)1.8Rail-to-railIn, OutGBW (Typ) (MHz)10Slew rate (Typ) (V/us)6Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)3Iq per channel (Typ) (mA)0.4Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)12RatingAutomotiveOperating temperature range (C)-40 to 125Offset drift (Typ) (uV/C)2FeaturesCost Optimized, EMI HardenedCMRR (Typ) (dB)90Output current (Typ) (mA)50ArchitectureCMOS

应用领域：