SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 20V Vds 8V

SI2302CDS-T1-GE3

制造商:Vishay

产品种类:MOSFETRoHS: 

详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:20 VId-连续漏极电流:2.9 ARds On-漏源导通电阻:57 mOhmsVgs th-栅源极阈值电压:400 mVVgs - 栅极-源极电压:4.5 VQg-栅极电荷:5.5 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:860 mW配置:Single通道模式:Enhancement商标名:TrenchFET封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.45 mm 长度:2.9 mm 系列:SI2 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:1.6 mm 商标:Vishay / Siliconix 正向跨导 - 最小值:13 S 下降时间:7 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:7 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:30 ns 典型接通延迟时间:8 ns 零件号别名:SI2302CDS-GE3 单位重量:8 mg

SI2302CDS-T1-GE3

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