FP75R12KT3进口原装英飞凌IGBT模块

地区:广东 深圳
认证:

深圳市安特凌科技有限公司

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制造商 Infineon
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
集电极—射极饱和电压 2.15 V
在25 C的连续集电极电流 105 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
功率耗散 355 W
最大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 Econo 3
栅极/发射极最大电压 +/- 20 V
最小工作温度 - 40 C
安装风格 Screw
工厂包装数量 10

 

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  联系人:胡先生

 

型号/规格

FP75R12KT3

品牌/商标

英飞凌