DIODES/美台 DMN3020UFDF-7 MOSFET

型号DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7

类别 分立半导体产品

晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
19 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
27 nC @ 8 V
Vgs（大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
1304 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
2.03W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
基本产品编号

DMN3020

类别 分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
19 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
27 nC @ 8 V
Vgs（大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
1304 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
2.03W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
基本产品编号
DMN3020
类别 分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）
1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）
19 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）
27 nC @ 8 V
Vgs（大值）
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）
1304 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）
2.03W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘
基本产品编号
DMN3020