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产品属性
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封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 35 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23.1nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.2W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TSOT-26
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 35 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23.1nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.2W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TSOT-26
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 35 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23.1nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±12V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.2W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TSOT-26
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
DMP2035UVT-7DMP2035UVT-7DMP2035UVT-7DMP2035UVT-7
DMP2035UVT-7
DIODES(美台)
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装