射频结栅场效应晶体管晶体管

射频射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350W

产品属性属性值搜索类似制造商:Cree, Inc.产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管RoHS: 详细信息 晶体管类型:HEMT技术:GaN SiC增益:18 dB晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:150 VVgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to 2 VId-连续漏极电流:15 A输出功率:350 W最大漏极/栅极电压:-安装风格:Flange Mount封装 / 箱体:H-37265J-2封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel工作频率:1.2 GHz to 1.4 GHz 商标:Wolfspeed / Cree 开发套件:LTN/GTVA123501FA-V1 产品类型:RF JFET Transistors 工厂包装数量:50 子类别:Transistors Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V

射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350W

结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 350W

Wolfspeed / Cree GTVA大功率射频碳化硅基氮化镓HEMTWolfspeed/Cree GTVA大功率射频碳化硅基氮化镓HEMT是基于碳化硅基氮化镓技术的50V高电子迁移率晶体管 (HEMT)。碳化硅基氮化镓器件具有高功率密度和高击穿电压，可实现高效功率放大器。该GTVA大功率射频碳化硅基氮化镓HEMT具有输入匹配、高效率和散热增强型封装。这些脉冲波/CW（连续波）器件具有128μs的脉冲宽度和10%的占空比。Wolfspeed/Cree GTVA大功率射频碳化硅基氮化镓HEMT器件采用H-36248-2和H-37248-2封装，不含铅，符合RoHS指令