射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP

产品属性属性值搜索类似制造商:NXP产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管RoHS: 详细信息 晶体管极性:Dual N-Channel技术:SiVds-漏源极击穿电压:- 0.5 V, 65 V增益:14.7 dB输出功率:87 W最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 150 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:ACP-1230S-4L2S封装:Cut Tape封装:Reel工作频率:2300 MHz to 2400 MHz 类型:RF Power MOSFET 商标:NXP Semiconductors 通道数量:2 Channel 产品类型:RF MOSFET Transistors 工厂包装数量:150 子类别:MOSFETs Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V 零件号别名:935374125128

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 ND

NXP Semiconductors Airfast®第三代功率放大器NXP Semiconductors Airfast®第三代功率放大器为效率、增益、射频功率和信号带宽等关键参数提供了同类最佳性能。Airfast第三代技术显著减少了交付特定水平的射频输出功率所需的占用空间。这些放大器包括28V和48V LDMOS晶体管。Airfast第三代放大器专为非对称Doherty放大器架构而设计。这些放大器具有高效率、较小的解决方案尺寸、改进的散热性能，并可在宽带频率下工作。Airfast第三代放大器支持所有全球蜂窝标准，包括用于5G的LTE和NR。这些放大器减小了蜂窝基站的尺寸，并降低了安装成本。