CSD13381F4 NexFET™ 无铅 表面贴装 3-XFDFN -55°C ~ 150°C（TJ）

CSD13381F4

制造商Texas Instruments

制造商零件编号CSD13381F4

描述MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）

原厂标准交货期16 周

详细描述表面贴装-N-沟道-12V-2.1A（Ta）-500mW（Ta）-3-PICOSTAR

CSD13381F4

数据列表CSD13381F4;

标准包装  3,000

包装  标准卷带  

零件状态在售

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列NexFET™

CSD13381F4

FET 类型N 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）2.1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）180 毫欧 @ 500mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）1.4nC @ 4.5V

Vgs（最大值）8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）200pF @ 6V

FET 功能-

功率耗散（最大值）500mW（Ta）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装3-PICOSTAR

封装/外壳3-XFDFN