MEMS振荡器YSO8209MR参数

　　MEMS振荡器

　　型号：YSO8209MR

　　封装体积(MM)：2520/3225/5032/7050

　　晶振频点：80.000001~220Mhz

　　负载/电压：1.8V、2.5V、3.3V

　　频差(PPM)：-20℃~+70℃，-40℃~+85℃

　　MEMS振荡器特征：

　　具备优良的耐热性、可达工业级温度

　　4P贴片硅封装，多种体积可选

　　可编程频率精du达小数点后六位

　　符合ROHS和REACH标准

　　MEMS振荡器应用：

　　SATA, SAS，以太网，万兆以太网，SONET, PCI Express，视频，无线

　　计算、存储、网络、电信、工业控制

　　MEMS振荡器引脚配置：

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