高精密恒温晶振SiT5301，sitime有源晶振厂家，进口报关

SiTime MEMS的可配置解决方案帮助客户提高产品性能，缩小产品尺寸，提升产品可靠性，并在市场竞争中脱颖而出。SiTime MEMS计时解决方案丰富的配套功能和灵活的定制性，确保客户在优化其物料供应链的同时，降低拥有成本，加快产品开发上市周期。SiTime产品采用标准半导体制造工艺和高量产塑料封装技术的生产流程，提供业界最强的供货能力和最短的交货时间。扬兴科技是SiTime可编程晶振亚洲区一级代理商，亦是中国可编程晶振厂家；一小时量产千片级别以上的有源晶振，大批量1-2天快速交付。

 

产品特点：可编程、频率丰富、精度高、温飘低、全温性、体积小、耐冲击、军工级别晶振。

SiT5301高精密恒温晶振时钟振荡器参数：

●频率范围（MHz）：1-60

●工作频率稳定性（PPM）：

o20-year ±4.6

o24-hour hold-over ±0.37

oOver-temperature ±0.1

●温度范围（°C）： 0~ +70

●工作电压（V）：2.5-3.3

●多种封装（mm）：2.5x2.0x0.75, 3.2x2.5x0.75, 5.0x3.2x0.75, 7.0x5.0x0.9

●相位抖动：< 1ps

贴片晶振的主要参数

总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大偏差。总频差包括频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频率负载特性等共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。

频率稳定度：任何晶振，频率不稳定是绝对的，程度不同而已。一个晶振的输出频率随时间变化的曲线。曲线中表现出频率不稳定的三种因素：老化、飘移和短稳。

开机特性（频率稳定预热时间）：指开机后一段时间（如5 分钟）的频率到开机后另一段时间（如1 小时）的频率的变化率。表示了晶振达到稳定的速度。这指标对经常开关的仪器如频率计等很有用。

频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的，因此，其频率偏移的速率叫老化率，可用规定时限后的最大变化率（如±10ppb/天，加电72 小时后），或规定的时限内最大的总频率变化（如：±1ppm/（前列年）和±5ppm/（十年））来表示。

短稳：短期稳定度，观察的时间为1 毫秒、10 毫秒、100 毫秒、1 秒、10 秒。晶振的输出频率受到内部电路的影响（晶体的Q 值、元器件的噪音、电路的稳定性、工作状态等）而产生频谱很宽的不稳定。测量一连串的频率值后，用阿伦方程计算。相位噪音也同样可以反映短稳的情况（要有专用仪器测量）。

 

 有问必答：

 

1、一旦量产，交货周期是否会出现问题？

 

答：由于采用芯片工艺，原厂每1个8寸Wafer可以切出5万只晶振，可想而知。您的用量相对于我们的WAFER量，实在是小的。

 

2、我用的频率比较偏，是否可以提供？

 

答： 没有问题，因为我们的晶振是可编程，任意频点都可以满足。

 

3、MEMS硅晶振目前能够提供什么样的产品？

 

答：MEMS硅晶振目前可提供，普通四脚单端振荡器、压控振荡器、差分振荡器、温补振荡器、低功耗振荡器、时钟发生器等所有时钟组件产品。

 

4、MEMS硅晶振与石英晶振在使用方面有什么区别吗？

 

答：MEMS硅晶振与石英晶振是PIN TO PIN的封装，在使用上没有任何区别，无需任何设计更改，可直接替换。

 

5、MEMS硅晶振现在应用在哪些行业？

 

答：SiTime 公司的MEMS硅晶振现在大量应用在通讯、消费、工业、网通、安防等所有电子行业，拥有包括：Apple、Motorola、SONY、Panasonic、Foxconn（富士康）、三菱在内的数万家客户。

 

 

 

【扬兴咨询】每一款晶振都是独一无二的

世界上没有两片完全相同的树叶，也没有完全相同的两个人。所以，每一款晶振都是独特的、独一无二的，晶振的规格、封装、频率、精度等不一样，晶振肯定也就不一样了，尽管有时候这种差别微乎其微。

设计带有睡眠唤醒的系统需要特别注意，一个高可靠性的系统设计，晶体的选择非常重要，尤其设计带有睡眠唤醒的系统。在振荡回路中，晶体既不能过激励（容易振到高次谐波上）也不能欠激励（不容易起振）。晶体的选择至少必须考虑：谐振频点，负载电容，激励功率，温度特性，长期稳定性。

每一款晶振都是独一无二的，因为每一种晶振都有各自的特性，温馨提示：所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。

在许可范围内，电容C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。

应使C2值大于C1值，这样可使上电时，加快晶振起振。