FGA25N120ANTD - 晶体管IGBT NPT TO-3P

描述

• Transistor Type:绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
• 集电极直流电流:50A
• 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
• 功耗, Pd:312W
• 电压, Vceo:1.2kV
• 工作温度范围:-55°C 到 150°C
• 封装类型:TO-3P
• 针脚数:3
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
• 上升时间:50ns
• 功率, Pd:312W
• 功耗:312W
• 封装类型:TO-3PN
• 晶体管极性:ñ频道
• 最大功耗:312W
• 最大连续电流, Ic:50A
• 电压, Vces:1.2kV
• 电流, Ic @ Vce饱和:25A
• 电流, Icm 脉冲:75A
• 表面安装器件:通孔安装