ST意法STP4NK60Z现货大量供应

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STP4NK60Z , N沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=600 V, 3针 TO-220封装




  • 产品技术参数
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    典型关断延迟时间 29 ns
    典型接通延迟时间 12 ns
    典型栅极电荷@Vgs 18.8 nC V @ 10
    典型输入电容值@Vds 510 pF V @ 25
    安装类型 通孔
    宽度 4.6mm
    封装类型 TO-220
    尺寸 10.4 x 4.6 x 9.15mm
    引脚数目 3
    工作温度 -55 °C
    最大功率耗散 70000 mW
    最大栅源电压 ±30 V
    最大漏源电压 600 V
    最大漏源电阻值 2 Ω
    最大连续漏极电流 4 A
    最高工作温度 +150 °C
    每片芯片元件数目 1
    类别 功率 MOSFET
    通道模式 增强
    通道类型 N
    配置
    长度 10.4mm
    高度 9.1



型号/规格

STP4NK60Z

品牌/商标

ST(意法半导体)

封装形式

TO-220F

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

盒带编带包装