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产品属性
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商品属性
品牌 SEP 型号 25N65 封装 TO-252
批号 2023+ 配置类型 MOSFET场效应管 FET类型 N沟道
漏源电压 650V 漏源电流 20A 漏源导通电阻 0.42Ω
栅源电压 30V 栅极电荷 36nC工作温度范围 -55℃ to + 150℃
反向恢复时间 530nS 耗散功率(MAX) 239W
安装类型 贴片 应用领域 家用电器、3C数码、照明电路、可穿戴设备
公司介绍
深圳市威旺电子有限公司成立于2005年,专注于功率半导体元件的研发生产,在深圳拥有自己的芯片研发团队,公司主要产品有二、三极管、整流桥、MOS管、肖特基、快恢复、IGBT、芯片等;热销产品近万种,市场遍布100多个国家和地区,SEP致力成为全世界半导体闻名品牌。
产品广泛应用于消费类、汽车电子、手机、光伏逆变、储能、电源、电脑、家电、充电器、仪器仪表、医疗设备、安防、无人机、轨道交通、IT等诸多邻域
20N65
SEP
TO-252
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
原厂直销SEP品牌13N65 TO-220F 大芯片13A650V N沟道MOS场效应管
原厂直销SEP品牌18N65 TO-220F 足参数18A650V N沟道MOS场效应管
原厂直销SEP品牌8N65 直插TO-220F塑封8A/650V N沟道MOS场效应管
原厂直销SEP品牌20N65 TO-220F 足参数20A650V N沟道MOS场效应管
原厂直销SEP品牌7N65 TO-220F封装印字7N65A 场效应MOS管7A650V
原厂直销SEP品牌15N65 TO-220F 大芯片15A650V N沟道MOS场效应管
原厂直销SEP品牌5N65 场效应MOS管5A/650V 足参数 TO-220F塑封
原厂直销SEP品牌13N65 TO-252 大芯片13A650V N沟道MOS场效应管
原厂直销SEP品牌25N65 TO-252 足参数25A650V N沟道MOS场效应管
原厂直销SEP品牌8N65 TO-252塑封8A/650V 足参数 N沟道MOS场效应