N沟道MOS管场效应 FQP70N10 仙童全新原装进口

FQP70N10产品概述

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体的专有平面条形和 DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

FQP70N10产品特性

57A, 100V, RDS(on) = 23mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 28.5A栅极电荷低（典型值：85nC)
低 Crss（典型值150pF)
100% 经过雪崩击穿测试
175°C最大结温额定值"

FQP70N10产品技术参数

规格