供应AOS万代AO4264

公司名：深圳市远东电子有限公司

：陈小姐

Q

FET 类型: N 沟道

技术: MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） :40nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs: 10V

Vgs（最大值）: ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :2007pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大）: @ Vds 30V

FET 功能 -

功率耗散（最大值）: 3.1W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 11 毫欧 @ 12A，10V

工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 :表面贴装

供应商器件封装 :8-SO

封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）