AOS万代全新进口原装AO4402 封装SOP-8 MOS场效应管

FET 类型: N 沟道
技术 MOSFET:（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）:（25°C 时） 20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） :1.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） :4630pF @ 10V
Vgs（最大值） ±12V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 5.5 毫欧 @ 20A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
供应商器件封装 8-SOIC

型号/规格

AO4402

品牌/商标

AOS

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

中功率

封装

SOP-8

电流

20A

沟道

N

电压

20V