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并行或Flash嵌入式内存存储器M29W128GL70N6E
M29W128GH, M29W128GL
特性存储器M29W128GL70N6E
•电源电压- VCC = 2.7-3.6V(程序、擦除、读取)存储器M29W128GL70N6E
- VCCQ = 1.65-3.6V (I/O缓冲区)- VPPH = 12V用于快速程序(可选)
异步随机/页面读取存储器M29W128GL70N6E
页面大小:8个单词或16个字节页面访问:25,30ns-随机存取:60ns1
、70、80 ns快速程序命令:32字(64字节)写缓冲增强的缓冲程序命令:256字•项目时间
- 16μs TYP每个字节/词
-芯片编程时间:VPPH为5s,无VPPH为8s
VPPH
•组织记忆
-统一块:128个主块,128 kb或
64 - kword每个•项目/消除控制器-嵌入式字节/字程序算法
•程序/删除暂停和恢复功能-读取从任何块在程序SUS-
使悬而不决的操作-在擦除期间读取或编写另一个块
暂停操作解锁旁路,块擦除,芯片擦除,写入buf-
增强的缓冲程序命令-快速缓冲/批处理编程-快速块/芯片擦除
•VPP/WP# pin保护保护第一个或最后一个块,而不管块
保护设置•软件保护
-挥发性保护
——非易失性的保护
——密码保护
•扩展内存块
-用于perma-的128字(256字节)内存块
、安全识别•通用flash界面- 64位安全码
•低功耗:待机、自动模式
•每次至少100个程序/擦除周期块•符合RoHS标准的包装
- 56针TSOP (N) 14mm x 20m 64球TBGA (ZA) 10毫米x13毫米
64球FBGA (ZS) 11mm x 13mm电子签名-制造商代码:0020h- M29W128GH制服,最后一块保护
VPP/WP#: 227Eh + 2221h + 2201h- M29W128GL制服,首块受保护
VPP/WP#: 227Eh + 2221h + 2200h
•汽车设备等级温度
- - 40°C至+125°C(汽车等级认证)
M29W128GL70N6E
NOR Flash
Parallel
128 Mbit
TSOP-56